磷化硅电镀中使用的金堵技术的详细介绍

* 来源 : * 作者 : * 发表时间 : 2020-01-08 8:06:21 * 浏览 : 68
[文本]采用电镀技术填充微孔的过程以“倒装”方式进行,也就是说,在微孔底部的铜沉积速率是电镀铜过程中最快的。但是,在制造IC封装基板时,由于HDI要求和未来的三维结构,不仅需要填充微孔,而且还必须填充通孔。在任何情况下,通孔的几何特征(形状,结构,尺寸等)总是与微通孔的几何特征不同,这不可避免地导致流体(镀液)流动特性的差异。文献报道表明,对于要倒装的微通孔而言,强制迁移(对流)是一个重要的物理因素,也就是说,强制迁移会强烈影响板的表面,而微型通孔底部会产生强烈的(动态)冲击接受是有限的。显然,某些添加剂的化学作用取决于这种迁移关系。因此,在电镀过程中,强制迁移可以促进抑制剂在铜表面的优先吸附。通过调节电镀液的流量,可以提高空穴填充性能和电镀液的效果。从这个角度来看,由于孔的几何形状的不同,用于填充微通孔的电镀液的成分与用于填充通孔的电镀液的成分不同。用于填充孔的含促进剂的镀层可以加速微孔底部的铜沉积速率,并且可以认为是依赖吸附的迁移。这些镀覆方案可以称为促进剂配方。例如,没有底部通孔的填充剂不能与促进剂一起配制(仍然存在问题)。取而代之的是,它不含促进剂,也就是说,用于通孔的铜被强烈禁止。基于地形分布的电压(电流密度)关系,吸附剂的镀液被吸附,从而从孔口到孔中心的抑制剂浓度形成浓度差。在电镀过程中,理想地建立了这种浓度差分布,并且最快的铜沉积速率将在孔的中心发生。在通孔电镀中,使用无促进剂组合物的空穴填充机理是基于改善(调节)吸附-消耗-扩散模式的基本概念。其中,要考虑带正电荷的添加剂的迁移问题。实际上,由于许多带有季铵盐的流平剂会挤压正电荷,因此当这种添加剂由于AFF的迁移而导致通孔中心(TH)具有堵塞孔的作用时,似乎也可以对微通孔使用孔填充效果。在这种情况下,微通孔和TH孔都可以使用AFF,以实现连续的孔填充效果。下面,我们将回顾这项研究的可行性。 1实验方法和实验将CO2激光形成的微通孔和机械钻孔形成的TH孔用作PCB电镀样品。 PCB样品尺寸为6厘米/厘米2倍。微通孔和TH孔的壁均经过化学镀铜处理。为了金属化,进行镀铜以使填充孔之前的铜镀层的厚度达到2μm〜3μm。两种含磷的铜用作阳极,并直接放入00ml镀液中进行镀铜。 。将详细讨论镀浴的情况。用于所有电镀测试的碱性电镀液的成分为0.88MCuSO45H2O,0.54MH2SO4。通过稀释的原液将其他添加剂(例如SPS,强抑制剂,PEG和聚集剂)添加到镀槽中。这些添加剂储备溶液应以适当的浓度制备。使用微通孔和TH孔的横截面(切掉的)表面测量孔填充性能,并使用光学显微镜测量。结果与讨论众所周知,Cl-离子在铜表面的吸附与电位有关。另外,Cl-离子的这种电位依赖性吸附取决于离子的浓度。整体解决方案。当Cl-的浓度低于20倍,10-6时,只要整个阴极电位都高于特定值,PDA的行为就是Cl-离子已从铜中去除。表面解吸的特征在于负离子电荷与强负电荷Cl之间的排斥力。一旦Cl-离子浓度高于20倍,在10-6时,CuCl容易在铜表面形成,然后PDA就会消失。
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