磁盘空间不足。 磁盘空间不足。 详细介绍了用于磷化硅电镀的金材料的封堵技术

详细介绍了用于磷化硅电镀的金材料的封堵技术

* 来源 : * 作者 : * 发表时间 : 2020-06-22 21:16:31 * 浏览 : 109
[文本]使用电镀技术填充微孔的过程是以“倒装”方式进行的,也就是说,在镀铜过程中,微孔底部的铜沉积速率是最快的。 。但是,在制造IC封装基板时,由于HDI和未来的三维结构的要求,不仅需要填充微孔,而且还需要填充通孔。在任何情况下,通孔的几何特性(形状,结构,尺寸等)总是与微通孔不同,这将不可避免地带来液体(电镀液)的不同流动特性。文献报告指出,对于填充有反向通孔的微孔,强制迁移(对流)是一个重要的物理因素,也就是说,强制迁移会强烈影响板的表面,而微孔会产生强烈的(动态)影响在底部是有限的。有意义的是,某些添加剂的化学作用取决于这种迁移关系。因此,在电镀过程中,强制迁移可以促进抑制剂在铜表面上的优先吸附,从而可以通过调节电镀液的流速来提高空穴填充性能和电镀液的效果。从这个角度来看,由于孔的几何形状不同,用于填充微通孔的镀液的成分与用于填充通孔的镀液的成分不同。包含用于填充孔的促进剂的电镀可以加快微孔底部的铜沉积速率,并且可以认为其迁移取决于吸附。这些电镀方案可以称为促进剂配方。对于“无底填充通孔”,不能使用含促进剂的配方(仍然值得商)),而不使用无促进剂的配方,即通孔的铜沉积具有很强的抑制作用。药剂的溶液以拓扑分布的电压(电流密度)关系被吸附,从而抑制剂的吸附浓度形成从孔口到孔中心的浓度差。在电镀过程中,理想地建立了这种浓度差分布,并且最快的铜沉积速率将在孔的中心发生。在通孔电镀中,没有促进剂成分的填充机理是基于改善(调整)吸附-消耗-扩散模式的基本概念。其中,要考虑带正电荷的添加剂的迁移问题。实际上,由于许多带有季铵盐的流平剂会挤压正电荷,因此当这种添加剂由于AFF的迁移而导致通孔中心(TH)具有堵塞孔的作用时,似乎也可以用于微通孔的孔填充效果。如果是这种情况,则可以将AFF用于微型通孔和TH孔,以获得连续的孔填充效果。下面,我们将回顾这项研究的可行性。 1实验方法和实验将CO2激光形成的微通孔和机械钻孔形成的TH孔用作PCB电镀样品。 PCB样品的大小是6厘米/厘米2。微通孔和TH孔的壁是化学镀铜。要进行金属化,然后进行铜电镀,并在填充孔之前使铜电镀的厚度达到2μm,m-3μm,m。使用两种含磷的铜作为阳极,将其直接放入00ml浴中进行镀铜。详细讨论了电镀槽的情况。用于所有电镀测试的基本电镀液成分为0.88MCuSO45H2O,0.54MH2SO4,并且将其他添加剂(例如SPS,强抑制剂,PEG,聚集剂等)通过稀释的储备液添加到电镀槽中。这些添加剂储备溶液以适当的浓度制备。使用光学通孔,通过微孔和TH孔的横截面(切面)来测量孔的填充性能。结果与讨论众所周知,Cl-离子在铜表面的吸附是有效的。依赖。此外,Cl离子的电位依赖性吸附取决于整个溶液的浓度。当Cl离子的浓度小于20倍,10-6时,只要整个阴极电势高于特定值,PDA的行为就是Cl离子从铜中脱出。表面脱附的特征在于之间的排斥力负电荷和强负Cl一旦Cl-离子的浓度高于20倍(10-6),则CuCl容易在铜表面形成,然后PDA将消失。
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