如何蚀刻工作

[Text]是工作对象的表面加上蚀刻剂（Etchant）。该蚀刻剂将与工件反应以产生腐蚀化学品，通过该腐蚀化学品去除工件的表面材料。如果蚀刻剂是液体，则称为湿法蚀刻，如果蚀刻，则称为干法蚀刻。常规蚀刻主要是使用液体蚀刻剂的湿法蚀刻，并且近年来，已经广泛使用利用气体等离子体等进行干法蚀刻的技术。特别是，在硅晶片上的亚微米精密加工和微米（μm）尺寸的大规模集成电路主要是干蚀刻工艺。湿蚀刻是巨大物体中的反应，其溶解在蚀刻剂中而不改变其化学性质。然而，在显微镜下，它是涉及一种或多种化学反应的过程，例如氧化，还原，络合物形成，气体反应等。通常，湿法蚀刻主要基于氧化和还原。当工件暴露在强酸，强碱等环境中时，工件表面的晶体结构会产生规律的电位差，形成大量的阴极和阳极区域，需要外部电解反应在没有外部电场的情况下，进行蚀刻。 。反应过程中的温度和时间控制非常重要。在干法蚀刻中，等离子体蚀刻主要用于通过化学反应产生蚀刻。等离子体蚀刻是在低压下引入气体，导致辉光放电产生低温，低压离子等离子体，其被反应激发，形成挥发性物质，并被排出以进行蚀刻。